GaN 충전기 란?, 왜 하나를 원할까요?? |

갈륨 질화물 (질화 갈륨) 충전기는 어디에나 있었다 CES 2020. 실리콘에 대한이 현대적인 대안은 더 작은 것을 의미합니다, 더 효율적인 충전기와 파워 브릭이 나옵니다. 작동 방식은 다음과 같습니다..

질화 갈륨 충전기의 장점

GaN 충전기는 현재 충전기보다 물리적으로 작습니다. 질화 갈륨 충전기는 실리콘 충전기만큼 많은 구성 요소가 필요하지 않기 때문입니다. 이 재료는 실리콘보다 시간이 지남에 따라 훨씬 높은 전압을 전도 할 수 있습니다.

GaN 충전기는 전류 전송에서 더 효율적일뿐만 아니라, 그러나 이것은 또한 더 적은 에너지가 열로 손실되는 것을 의미. 그래서, 더 많은 에너지를 충전하려고 할 때마다. 구성 요소가 장치로 에너지를 전달하는 데 더 효율적인 경우, 당신은 일반적으로 그들 중 적은 것을 요구합니다.

현재, GaN 반도체는 일반적으로 실리콘보다 비싸다. 하나, 효율성 향상으로 인해, 추가 자료에 대한 의존도가 감소했습니다, 방열판처럼, 필터, 및 회로 요소. 한 제조업체 비용 절감 추정 10 에 20 이 지역의 퍼센트. 대규모 생산이 시작되면 경제적 이익이 더욱 향상 될 수 있습니다..

보다 효율적인 충전기는 에너지 낭비를 줄이므로 전력 비용을 절약 할 수 있습니다.. 비교적 저전력 장치로 큰 변화를 기대하지 마십시오, 랩톱 및 스마트 폰과 같은, 그러나.

질화 갈륨이란??

질화 갈륨은 1990 년대 LED 제조를 통해 눈에 띄게 상승한 반도체 재료입니다.. GaN은 최초의 백색 LED를 만드는 데 사용되었습니다, 블루 레이저, 일광에서 볼 수있는 풀 컬러 LED 디스플레이. Blu-ray DVD 플레이어에서, GaN은 DVD에서 데이터를 읽는 파란색 표시등을 생성합니다.

GaN이 곧 많은 영역에서 실리콘을 대체 할 것으로 보입니다. 실리콘 제조업체는 실리콘 기반 트랜지스터를 개선하기 위해 수십 년 동안 끊임없이 노력해 왔습니다.. 에 따르면 무어의 법칙 (Fairchild Semiconductor의 공동 설립자 이름을 따서, 나중, 인텔의 CEO, 고든 무어), 집적 실리콘 회로의 트랜지스터 수는 약 2 년마다 두 배로 증가.

이 관찰은 1965, 그리고 마지막으로 크게 울렸다 50 연령. 에 2010, 그러나, 반도체 발전이 처음으로이 속도 미만으로 둔화. 많은 분석가 (무어 자신) 무어의 법칙은 2025.

GaN 트랜지스터 생산 증가 2006. 개선 된 제조 공정으로 실리콘 유형과 동일한 시설에서 GaN 트랜지스터를 제조 할 수 있음. 이는 비용을 낮추고 더 많은 실리콘 제조업체가 GaN을 사용하여 트랜지스터를 생산하도록 장려합니다..

질화 갈륨이 실리콘보다 우수한 이유?

실리콘에 비해 GaN의 장점은 전력 효율로 비등합니다.. GaN 시스템으로, 질화 갈륨 전문 제조업체, 설명:

“모든 반도체 재료에는 밴드 갭이 있습니다. 이것은 전자가 존재할 수없는 고체의 에너지 범위입니다. 간단히 말해서, 밴드 갭은 고체 물질이 전기를 얼마나 잘 전도 할 수 있는지와 관련이 있습니다.. 질화 갈륨은 3.4 eV 밴드 갭, 실리콘과 비교 1.12 eV 밴드 갭. 질화 갈륨의 넓은 밴드 갭은 실리콘보다 더 높은 전압과 더 높은 온도를 유지할 수 있다는 것을 의미합니다.”

효율적인 전력 변환 공사, 다른 GaN 제조업체, 정해진 GaN이 전자를 전도 할 수 있다는 1,000 실리콘보다 더 효율적인 시간, 더 낮은 제조 비용, 부팅.

높은 밴드 갭 효율은 전류가 실리콘 칩보다 GaN 칩을 빠르게 통과 할 수 있음을 의미합니다.. 이로 인해 향후 더 빠른 처리 기능이 제공 될 수 있습니다.. 간단히 말해서, GaN으로 만든 칩이 더 빠를 것입니다, 더 작은, 보다 전력 효율적인, 과 (결국) 실리콘으로 만든 것보다 저렴.